| 加工定制 : | 是 | 品牌 : | 福滔 |
| 型號 : | 微波干燥設備 | 品類 : | 電詢 |
| 轉速 : | 詳詢商家 |
廣州福滔微波設備有限公司主要從事干燥設備的深入研究與開發，還同步研發了微波+光波、紫外線+微波、熱風+微波結合等先進設備，并且擁有強大的非標設備設計、制造及工程能力，成果頗豐，業績 。福滔微波產品覆蓋全國，同時也 馬來西亞、韓國、泰國、越南、印尼、菲律賓等國家。公司以成就百年品牌為遠景目標，匯聚了一大批高層次、高素質的專業人才；運用先進的ERP系統對公司的各種資源和整個生產、經營過程實施有效地組織、協調、控制和規范管理。同時，長期與有關科研機構、行業專家實行技術交流，不斷開拓思路提升科研創新能力。努力以優勢人才、優勢管理、優勢技術、優勢裝備，打造強勢企業。目前公司主營業務包括：石墨烯制備設備、微波石墨烯爆裂設備、石墨烯膨化、石墨烯生產設備、單層石墨烯生產線等。
石墨烯能做什么？
由于石墨烯可以讓電子產品的屏幕更清晰且具備柔性特質，這些產品將比以往采用硅材料的設備更薄、更快、更便宜。另外，續航時間長的電池也可具備防水性能。
2011年，美國西北大學的研究人員以石墨烯和硅為原料制造電池，該大學表示這種電池可以讓手機“電池用上一周，每次充電只需15分鐘”。
2012年，美國化學學會表示，石墨烯技術進步將使得“手機薄如紙張，能夠折疊裝入口袋”。
機械法剝離制備石墨烯的現狀
所謂機械剝離法，就是通過對石墨材料施加諸如剪切力、摩擦力、拉伸力等機械力將石墨烯從石墨材料中剝離出來的方法。機械剝離法是一種綠色、 的制備方法，能夠大規模地制備高質量的石墨烯，具有成本低、易操作、無污染、投資小等優勢，完全符合上述產業化的原則。實驗結果表明，石墨層與層之間是通過范德華力連接的，其作用能約為2eV/nm2，因此石墨片層很容易在機械力的作用下剝離。目前用于石墨烯機械剝離的方法包括介質研磨剝離、超聲剝離、水射流剝離、均質機剝離及氣流粉碎機剝離等。
廣州福滔微波設備有限公司是一家專業從事微波設備研發、設計、生產、銷售為一體的高新技術生產企業。福滔微波是國內起步較早、技術積淀比較成熟的微波設備公司，也是當前國內生產規模比較大、技術實力雄厚、產品門類齊全的微波能設備專業制造廠家。公司秉承“用戶至上，要做就做到 i好”的經營宗旨，要求每個員工的待人處事必須遵照“誠信、分享，團結、創新，提升、 ”十二字原則，把福滔微波公司打造成為中國微波行業有活力的標桿企業。福滔公司經營管理嚴格執行ISO9001的管理精神，對采購、生產、銷售、售后等環節實行執行流程化管理，不斷完善工作細節，做大市場份額。借助企業規模效應和與供應商良好的合作關系，打造出的高性價比設備得到了廣大客戶的高度認同與贊賞。目前公司主營的有：石墨烯制造設備、石墨烯成套設備、微波石墨烯設備、石墨烯制備設備、微波石墨烯爆裂設備等。
石墨烯導電油墨的應用
石墨烯因其自身較高的導電性和載流子遷移率的特性，使得由其制備的石墨烯導電油墨在傳感器、電容器、電子線路、RFID 天線、導電電極等電子產品領域得以較好的應用。
將石墨烯制成墨水，通過噴墨印刷的方法得到的傳感器具有優異的性能，如響應時間短、靈敏度高等特點。將石墨烯用于氣體傳感器中，當有氣體通過時，其吸附在石墨烯表面，改變石墨烯局部的載流子密度，引起電阻率發生變化，可知氣體吸附解離量。Dua 等將石墨烯導電墨水噴墨打印在基材上制成氣體傳感器，其對NH3、SO2等氣體具有良好的響應性，當通入氣體時，基材的導電率急速下降，但其響應時間較長，說明石墨烯自身對氣體的吸附較好，在紫外燈的照射下，可加速其吸附和解離。
石墨烯制備設備
石墨烯是目前在科技界 為流行的一種高性能材料，單層原子的厚度和各種優良性能，使它在各行各業都具有極高的應用潛力。從改進海水淡化過濾設備到快充電池，再到發明下一|代 LED 的燈泡、改進太陽能電池。此外，石墨烯材料擁有出色的導電性能與導熱性能，所以更適合用來制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽能電池。從實驗級到生產線，福滔生產的石墨烯制備裝置均提供有冷卻裝置，以方便用戶進行低溫石墨烯剝離。 針對客戶的多類型、不同層次的需求，推出實驗級石墨烯制備設備、石墨烯制備中試機以及石墨烯超聲制備規模化生產裝置。
廣州福滔微波設備有限公司專注于烘干干燥設備的研發與生產，在水果蔬菜脫水深加工、藥材深加工、食品加工生產線、工業品干燥加工生產線方面成效顯著，為客戶、為社會創造了巨大的經濟價值和社會效益。公司主營產品有：石墨烯設備廠家、石墨烯干燥設備、石墨烯制造設備、石墨烯成套設備、石墨烯生產設備、單層石墨烯生產線等。公司秉承“服務到底，爭取更好”的宗旨，立足中原，放眼世界，時刻關注來自于市場和用戶的建議，不斷改進技術，完善服務，提高品質。福滔的產品不僅在國內 ，更是吸引了世界各地的客戶來廠考察，訂貨。
石墨烯制備技術發展現狀
碳化硅外延法
碳化硅外延法是在碳化硅單晶基底上，經過高溫熱處理，外延生長出單層石墨烯。該方法以單晶碳化硅為基礎材料，經除去表面氧化物過程，然后在超高真空、高溫(1 200 ～1 450℃ )條件下，熱分解蒸發表面的硅（S i）原子，在碳化硅晶面上外延生長出石墨烯片。
該方法制備的石墨烯載流子遷移率高，適用于電學性能要求高的微電子器件。
化學氣相沉積法
化學氣相沉積（CVD）法是以碳 體為前驅物體，在銅、鎳或者鉑等金屬的表面熱裂解、沉積、成核形成單層石墨的物理化學過程。CVD法可以通過改變金屬襯底的種類、反應溫度、反應時間等工藝參數，實現對于石墨烯厚度和晶疇尺寸的調控。
CVD法制備石墨烯簡單易行，制取的石墨烯品質高，且非常有利于大面積生產，產品直接得到石墨烯薄膜，再加工工藝簡單。在石墨烯產品品質及工藝的簡易性方面，CVD法相比其他3種方法具有明顯的優勢，因此CVD法目前已成為石墨烯生長領域的主流技術。
